Alimentat de cea de-a 5-a generație V-NAND de la Samsung, noul Universal Flash Storage oferă de 20 de ori mai mult spațiu de stocare decât 64 GB de stocare internă și o viteză de 10 ori mai mare decât un card microSD standard pentru aplicații cu consum intens de date.
Η Samsung Electronics Co., Ltd., lider mondial în tehnologia avansată de memorie, a anunțat astăzi producția în masă a primului Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 integrat, de dimensiunea unui terabyte, pentru utilizare în aplicațiile mobile de ultimă generație. La doar patru ani de la anunțarea primei soluții UFS, eUFS de 128 GB, Samsung a depășit limita mult așteptată de un terabyte în stocarea smartphone-ului. Pasionații de smartphone-uri se vor putea bucura în curând de o capacitate de stocare comparabilă cu cea a unui notebook PC premium, fără a fi nevoie să adauge carduri de memorie suplimentare la telefoanele lor mobile.
„Se așteaptă ca eUFS de 1 TB să joace un rol important în crearea unei experiențe de utilizator îmbunătățite pe dispozitivele mobile de ultimă generație, similară cu cea a notebook-urilor”, a declarat Cheol Choi, vicepreședinte executiv al vânzărilor și marketingului de memorie la Samsung Electronics. „Samsung se angajează, de asemenea, să asigure cel mai fiabil lanț de aprovizionare și volume de producție suficiente pentru a sprijini lansarea viitoarelor smartphone-uri emblematice, cu scopul de a accelera creșterea pe piața globală de telefoane mobile.”
Menținând aceeași dimensiune a pachetului (11.5 mm x 13.0 mm), soluția eUFS de 1 TB dublează capacitatea versiunii anterioare de 512 GB, combinând 16 straturi de memorie flash V-NAND de 512 GB mai avansate și un controler de memorie proprietar nou dezvoltat. Utilizatorii de smartphone-uri vor putea stoca 260 de videoclipuri de zece minute la rezoluție 4K UHD (3840X2160), în timp ce standardul eUFS de 64 GB, afișat de majoritatea smartphone-urilor moderne, poate stoca 13 videoclipuri de aceeași dimensiune.
1TB eUFS este extrem de rapid, permițând utilizatorilor să transfere conținut multimedia mare în mult mai puțin timp. La viteze de până la 1.000 de megaocteți pe secundă (MB/s), noul eUFS are aproximativ de două ori viteza de citire secvențială a unui SSD SATA standard de 2.5 inchi. Aceasta înseamnă că videoclipurile full HD de 5 GB pot fi descărcate pe un SSD NVMe în doar cinci secunde, ceea ce este de 10 ori mai rapid decât un card microSD standard. În plus, viteza de citire aleatorie a fost crescută cu 38% față de versiunea de 512 GB, ajungând la 58.000 IOPS. Înregistrările aleatorii sunt de 500 de ori mai rapide decât un card microSD de înaltă performanță (100 IOPS), ajungând la 50.000 IOPS. Vitezele aleatorii permit fotografierea continuă de mare viteză la 960 de cadre pe secundă și oferă utilizatorilor de smartphone-uri posibilitatea de a profita la maximum de capacitățile multi-camera ale dispozitivelor moderne și ale produselor emblematice de următoarea generație.
Pentru prima jumătate a anului 2019, Samsung plănuiește să extindă producția de generația următoare V-NAND 512GB la fabrica sa din Coreea pentru a gestiona cererea mare pentru mult așteptatul eUFS de 1TB de la producătorii de dispozitive mobile din întreaga lume.
[the_ad_group id = ”966 ″]
